ケイ酸ハフニウム IV Hafnium IV silicate HfSiO4 は ハフニウムのケイ酸塩である 天然にはハフノンとして産出するが 多くの場合ジルコニウムを含む ケイ酸ハフニウムのジルコニウム置換体がケイ酸ジルコニウム 英語版 ジルコン となる 融点2758度 ケイ酸ハフニウムとケイ酸ジルコニウムの薄膜は化学気相成長法 主にMOCVD によって作られ 半導体材料である二酸化ケイ素に代わ