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ヒ化アルミニウム

ヒ化アルミニウム(ヒかアルミニウム、: aluminium arsenide)は、化学式 AlAs で表される、アルミニウムヒ化物である。主に半導体材料として用いられる。格子定数ヒ化ガリウムヒ化アルミニウムガリウムと同じであり、バンドギャップはヒ化ガリウムより広い。

ヒ化アルミニウム
識別情報
CAS登録番号 22831-42-1 
PubChem 89859
特性
化学式 AlAs
モル質量 101.9031 g/mol
外観 橙色の結晶
密度 3.81 g/cm3
融点

1740 ℃

バンドギャップ 2.12 eV (間接)[1]
熱伝導率 0.9 W/(cm*K) (300 K)
屈折率 (nD) 3 (赤外線)
構造
結晶構造 閃亜鉛鉱構造
空間群 T2d-F-43m
配位構造 四面体形
特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。

物理的性質

[2]

脚注

  1. ^ Ioffe database
  2. ^ L. I. Berger "Semiconductor materials" CRC Press, 1996 (ISBN 0849389127), 9780849389122 (available on google books), p. 126
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